Home » Uncategories » Memahami Cara Membaca Datasheet Mosfet

Memahami Cara Membaca Datasheet Mosfet

 

Berikut adalah cara memahami datasheet mosfet pada contoh Mosfet IRL540 sebagai berikut:

#Product Summary 

  •  Vds = Kemampuan Arus Max. Mosfet (Drain -Source)
  • Rds(on) = Hambatan yg diubah ke panas (daya yang hilang) saat Vgs 5V
  • Qg (Max.) = Jml muatan yang di ambil ketika beralih mode OFF ke ON,(switching), pengaruh pd waktu dan efisiensi
  • Qgd = jumlah muatan yang diambil intuk mengubah tegangan Vgd (gate-drain)
  • Qgs = Jumlah muatan yang diambil intik Mengubah Vgs
  • Configuration = penerapan mosfet dalam rangkaian (single, cascade, pull push, dll)

#Absolute Maximum Ratings

Nilai ini tidak boleh lebih, jika lebih akan rusak.
  • Vds =Nilai maksimal V max. Drain-source
  • Vgs = Nilai V max. Gate-Source
  • Vgs = pada 5V, suhu 25C tidak boleh arus continuous >28 A
  • Idm = Max. Arus singkat yang boleh dilalui.
  • Linear D. F = 1 W/°C = Setiap Naik 1°C Kemampuan Mosfet turun 1 Watt.
  • Eas = mosfet mampu max. mengalirkan 15mJ saat Vds >VdsMax atau > Breakdown (Kondisi avilanche).
  • Iar = Arus max. yang blh dilalui saat kondisi mosfet Avilanche).
  • Ear = Mosfet mampu menangalirkan max. 15 mj saat berulang x di keadaan avilanche
  • Pd = Daya max. yang diubah ke panas tidak boleh lebih dari 150W saat 25°C.
  • dV/dt = waktu yang dibutuhkan oleh dioda internal dalam perangkat untuk pulih setelah mengalami perubahan dari mode terbalik, dan penting untuk aplikasi yang memerlukan perubahan cepat antara kondisi on dan off agar perangkat bekerja efisien dan responsif.
  • Tj = suhu mosfet saat berorasi.(bukan sudah lingkungan)
  • Soldering= selama 10s max. Adalah 300°C
  • Mounting Torque = Kekencangan baut M3 mmax. 1.1 N/m





Spesification Static

1. Drain-source Breakdown Voltage (Vds)

Drain-Source Breakdown Voltage pada MOSFET mengacu pada tegangan maksimum yang dapat diterapkan antara terminal drain dan source tanpa menyebabkan kerusakan permanen atau breakdown pada perangkat. Ini adalah tegangan maksimum yang perangkat dapat tangani sebelum terjadi breakdown atau "pembalikan" arus yang signifikan melalui saluran di antara drain dan source.

2. Vds Temperature Coefisient (TCVds)

Koefisien temperatur Vds, atau sering kali disebut "TCVds," dinyatakan dalam persentase perubahan Vds per derajat Celsius (°C). Positif + TCVds berarti bahwa tegangan drain-source akan meningkat dengan kenaikan suhu, sedangkan negatif - TCVds berarti bahwa tegangan akan menurun seiring dengan peningkatan suhu.
Contohnya: digambar
Bisa dibaca: "TCVds = 0.12 V/°C pada Test Condition Reference to 25°C, ID = 1 mA," itu berarti bahwa perubahan TCVds sebesar 0.12 volt per derajat Celsius (V/°C) berlaku saat MOSFET diuji pada kondisi (awal) 25C dan saat Id 1mA.
Dengan kata lain, ketika MOSFET diuji pada suhu yang berbeda (diatas 25 derajat) dengan arus drain 1 mA, perubahan tegangan drain-to-source (Vds) akan mengalami peningkatan sebanyak 0.12 volt untuk setiap perubahan suhu 1 derajat Celsius (°C) dari suhu 25°C.

3. Gate-Source Treshold Voltage (Vgs(th) )

Di contoh dibacanya: Vgs(th) = min. 2, max. 3 pada Test Condition VDS = VGS, ID = 250 µA
MOSFET tersebut berarti dalam kondisi pengujian tertentu yakni:
- Vgs(th) = min. 2, max. 3: MOSFET akan mulai menghantarkan arus drain-to-source (ID) ketika tegangan gate-source (Vgs) mencapai 2 volt atau lebih, tetapi tidak lebih dari 3 volt.
- Test Condition VDS = VGS, ID = 250 µA: Pada kondisi ini, tegangan drain-source (VDS) dan tegangan gate-source (VGS) diatur pada tingkat yang sama (VDS = VGS) dan arus drain (ID) diatur pada 250 µA (microampere). Kondisi ini memberikan gambaran tentang ambang tegangan gate-source yang diperlukan untuk memulai hantaran dalam kondisi tertentu.

4. Gate-Source Leakage (Igss)

Pada contoh: Igss = 100nA pada test Condition Vgs = +-  10V
Berarti arus bocornya adalah 100nA pada kondisi tegangan Vgs = 10V.

5. Zero Gate Votage Drain Current (Idss)

Yakni saat tegangan gate 0V atau open circuit maka mosfet akan tetap menghantarkan arus dari Gate ke Source .
Dicontoh : Idss = 50uA saat keadaan test VDS = 100 V, VGS = 0 V;
Berarti Id mengalirkan 50uA saat Vgs 0V dan VDS 100V .

6. Drain-Source On-State Resistance (RDS(on) )

Resistansi saluran-on-state (RDS(on)) adalah parameter penting, terutama dalam aplikasi daya seperti penguat audio atau konverter daya. Semakin rendah nilai RDS(on), semakin efisien MOSFET dalam mengalirkan arus karena lebih sedikit daya yang hilang dalam bentuk panas di saluran. Resistansi rendah juga berarti MOSFET memiliki penurunan tegangan (voltage drop) yang lebih rendah saat dalam kondisi on, yang penting dalam menghindari kerugian daya yang tidak diinginkan.

Contoh: ,RDS(on) = 0.022 ohm saat Test Condition VGS = 5.0 V, ID = 17 A. Berarti 
- RDS(on) = 0.022: Resistansi ini menggambarkan seberapa rendah hambatan saluran di antara terminal drain dan source saat MOSFET berada dalam kondisi on (tersaturasi).
- Test Condition VGS = 5.0 V, ID = 17 A: Kondisi ini memberikan gambaran tentang resistansi saluran-on-state (RDS(on)) dalam situasi di mana MOSFET sedang digunakan untuk mengalirkan arus sebesar 17 A dengan gate-source yang dikendalikan pada tegangan 5.0 V.

7. Transkonduktansi (gfs) 

Transkonduktansi (gfs) adalah parameter yang penting dalam MOSFET karena mengukur seberapa efektif MOSFET merespons perubahan tegangan gate-source (Vgs) dengan menghasilkan perubahan arus drain (Id). Nilai yang lebih tinggi dari gfs biasanya mengindikasikan bahwa MOSFET memiliki kemampuan yang lebih baik dalam mengamplifikasi sinyal dan mengalirkan arus dalam aplikasi penguatan.
Contohnya: gfs = 12 S, pada Test Condition VDS = 50 V, ID = 17 A
- gfs = 12 S: Ini berarti bahwa nilai transkonduktansi (gfs) dari MOSFET adalah 12 Siemens (S), yang juga dikenal sebagai "mho." Transkonduktansi mengukur seberapa efisien MOSFET dalam mengubah perubahan tegangan gate-source (Vgs) menjadi perubahan arus drain (Id).

- Test Condition VDS = 50 V, ID = 17 A: Pada kondisi ini, tegangan drain-source (VDS) diatur pada 50 V dan arus drain (ID) diatur pada 17 A. Kondisi ini memberikan gambaran tentang transkonduktansi (gfs) dalam situasi di mana MOSFET sedang dioperasikan pada tegangan drain-source 50 V dan arus drain 17 A.

# Dynamic Charateristic

1. Ciss
kapasitansi yang ada antara terminal input gate dan terminal source. menggambarkan seberapa cepat MOSFET merespons perubahan tegangan pada gate.
Semakin besar nilai Ciss, semakin lambat MOSFET merespons perubahan tegangan, dan sebaliknya.
2. Coss
yakni kapasitansi yang ada antara terminal output drain dan terminal source. penting karena mempengaruhi bagaimana MOSFET merespons perubahan tegangan pada terminal drain saat arus mengalir melalui perangkat.
3. Crss 
adalah kapasitansi yang terjadi antara terminal input gate dan terminal drain ketika MOSFET mengalami tegangan drain-source terbalik, dan mempengaruhi karakteristik penguat dan switching perangkat.




0 Response to "Memahami Cara Membaca Datasheet Mosfet"

Posting Komentar

Berkomentarlah dengan baik ^_^

Langganan: Posting Komentar (Atom)